雷卯电子提供满足基础静电、浪涌保护的器件同时，研发出更高功能的大电流、防死锁的高功率ESD器件，即防Latch-up。

Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流，因而失效。

目前IC集成度越来越高，Latch up 引起的大电流很容易使芯片产生永久性的失效。

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在同样大小的DFN1006封装大小SDA05DN，已经做到IPP满足15-26A，关键参数是漏流对温度的敏感性变得非常稳定。特别适合当前在电池保护领域使用。

不单是漏流、动作电压在高温125度情况下表现优异，该系列产品经过TLP测试的曲线也非常的完美。满足了最新电池芯片的低耐压特性。

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